DGAP-Media / 04.09.2020 / 14:12                                                
                                                                               
                                                                               
                                                                               
AIXTRON TEST !!!                                                               
                                                                               
                                                                               
Siltronic fährt GaN-Wafer-Aktivitäten mit AIXTRON-Anlage hoch                  
                                                                               
Bestellung einer vollautomatischen AIX G5+ C-Anlage zur Positionierung auf dem 
aufstrebenden Markt für Galliumnitrid-auf-Silizium-Materialanwendungen /       
Höchster Durchsatz mit exzellenter Gleichförmigkeit ermöglicht schnelles       
Hochfahren der Anlage                                                          
                                                                               
Herzogenrath, 25. August 2020 - Die Siltronic AG verstärkt ihr Geschäft mit    
GaN-on-Si-Wafern mit einer AIX G5+ C-Anlage der AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem  
weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie.
Die AIX G5+ C-Anlage ist vollautomatisiert und mit einer In-situ-Reinigung und 
einem Kassette-zu-Kassette-Transfermodul ausgestattet, das beste               
Epitaxie-Stabilität und unübertroffen niedrige Defektraten bietet. Der         
hochmoderne Planeten-Reaktor(R) verfügt über die Auto-Feed Forward (AFF) von   
AIXTRON individuelle On-Wafer-Temperaturregelung und eine 8x150-mm- und        
5x200-mm-Konfiguration. Die Anlage wird im vierten Quartal dieses Jahres an den
Kunden ausgeliefert.                                                           
                                                                               
Wafer-Ausrüstung für kommende Megatrends                                       
                                                                               
Siltronic ist ein führender Anbieter von Silizium-Wafern für die               
Halbleiterindustrie und wird den zusätzlichen Epitaxie-Reaktor nutzen, um die  
Position auf dem aufstrebenden GaN-on-Si-Markt zu stärken. Die AIX G5+ C wird  
von Siltronic für die Herstellung von 150 mm- und 200                          
mm-Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Epi-Wafern für Radiofrequenz (RF)-   
und Leistungselektronikanwendungen eingesetzt.                                 
                                                                               
RF, Leistungselektronikbauelemente und Schaltkreise ermöglichen hohe           
Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement mit hohen               
Leistungsdichten. Diese Eigenschaften sind für schnell wachsende Anwendungen   
wie Serverfarmen, erneuerbare Energien und die nächste Generation drahtloser   
Netzwerke (5G) erforderlich. Neben dem kleineren Formfaktor ist GaN-on-Si ein  
idealer Kandidat für Schnellladegeräte und die Elektrifizierung von Fahrzeugen.
                                                                               
                                                                               
Ausgewählt von den Besten der Branche                                          
                                                                               
Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG, sagt: "Der GaN-on-Si-Markt ist 
ein wichtiges zukünftiges Wachstumsfeld. Im Rahmen des GaN-Power-Programms von 
imec, dem Forschungsinstitut für Nanoelektronik, waren wir schon früh sehr     
aktiv, um unseren Kunden Spitzenleistungen zu bieten. Um uns in diesem Markt   
wettbewerbsfähig zu positionieren, benötigen wir eine Anlage, mit der wir      
unseren Kunden die Epi-Wafer mit der besten Leistung liefern und gleichzeitig  
das Volumen zu niedrigsten Kosten steigern können. Wir sehen die AIX G5+       
C-Anlage in dieser Hinsicht als ideale Lösung sowohl für GaN Power- als auch   
für RF-Bauelemente, um die wachsenden Anwendungen und Megatrends zu bedienen.  
Der Einsatz der GaN-on-Si-Technologie leistet auch einen zentralen Beitrag zur 
Verbesserung der Energiebilanz durch Dekarbonisierung."                        
                                                                               
"Die GaN-on-Si-Technologie hat in den letzten Jahren einen beeindruckenden     
Durchbruch erzielt, und die Geräte setzen sich sowohl in Verbraucher- als auch 
in Industrieprodukten für Leistungs- und RF-Anwendungen rasch durch. Die AIX   
G5+ C ist eine voll ausgereifte Plattform für diese fortschrittlichen          
Anwendungen, und es ist fantastisch, dass wir unsere Kunden bei der            
Erschließung dieser neuen Märkte begleiten können", sagt Dr. Felix Grawert, CEO
von AIXTRON.                                                                   
                                                                               
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Ansprechpartner                                                                
                                                                               
Guido Pickert                                                                  
Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation                          
TELEFON +49 (2407) 9030-444                                                    
E-MAIL g.pickert@aixtron.com                                                   
                                                                               
                                                                               
                                                                               
Über AIXTRON                                                                   
                                                                               
Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die       
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz  
in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen 
in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von
einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-    
oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in    
einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt.
Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC-
und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und          
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.         
                                                                               
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic     
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R),  
Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R),     
STExS(R), TriJet(R)                                                            
                                                                               
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter          
www.aixtron.com verfügbar.                                                     
                                                                               
                                                                               
Über Siltronic                                                                 
Siltronic ist einer der weltweit größten Hersteller von Wafern aus hochreinem  
Silizium und Partner vieler führender Halbleiterunternehmen. Das Unternehmen   
betreibt Produktionsstätten in Asien, Europa und den USA. Siltronic entwickelt 
und fertigt Siliziumwafer mit Durchmessern bis zu 300 mm. Siliziumscheiben     
bilden die Grundlage der modernen Mikro- und Nanoelektronik und sind eine      
Schlüsselkomponente in Halbleiterchips für Computer, Smartphones,              
Navigationssysteme und viele andere Anwendungen. Die Siltronic AG beschäftigt  
rund 3.600 Mitarbeiter und ist ein börsennotiertes Unternehmen in Deutschland  
(Prime Standard). Die Siltronic-Aktie ist im MDAX und TecDAX vertreten.        
                                                                               
Weitere Informationen über Siltronic sind im Internet unter www.siltronic.com  
verfügbar.                                                                     
                                                                               
                                                                               
                                                                               
Zukunftsgerichtete Aussagen                                                    
                                                                               
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie        
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",     
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen 
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des       
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender  
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die   
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten  
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht         
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt   
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von      
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder 
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann    
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON 
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach                  
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen 
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von  
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das      
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei      
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-   
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die          
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des          
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,   
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei  
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der      
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in  
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des    
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene               
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und   
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung      
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur           
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer       
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine   
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.                                
                                                                               
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung 
vor.                                                                           
                                                                               
                                                                               
                                                                               
Ende der Pressemitteilung                                                      
                                                                               
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE                                               
Schlagwort(e): Unternehmen                                                     
                                                                               
04.09.2020 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP -   
ein Service der EQS Group AG.                                                  
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.   
                                                                               
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Sprache:     Deutsch                                                           

Unternehmen: AIXTRON SE                                                        

             Dornkaulstraße 2                                                  

             52134 Herzogenrath                                                

             Deutschland                                                       

Telefon:     +49 (2407) 9030-0                                                 

Fax:         +49 (2407) 9030-445                                               

E-Mail:      invest@aixtron.com                                                

Internet:    www.aixtron.com                                                   

ISIN:        DE000A0WMPJ6                                                      

WKN:         A0WMPJ                                                            

Indizes:     MDAX, TecDAX                                                      

Börsen:      Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in   
             Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart,        
             Tradegate Exchange; Nasdaq OTC                                    

EQS News ID: 1127695                                                           







                                

Ende der Mitteilung  DGAP-Media



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1127695  04.09.2020