AIXTRON SE Energieeffizienz / Speziell entwickelte CVD-Anlage bereit für die Graphen-Bearbeitung auf 200 mm-Wafern / Start der Herstellung von Schichten auf Industriestandard
DGAP-Media / 22.12.2020 / 12:00
AIXTRON ermöglicht den nächsten Schritt im GIMMIK-Forschungsprojekt für mehr
Energieeffizienz
Speziell entwickelte CVD-Anlage bereit für die Graphen-Bearbeitung auf 200
mm-Wafern / Start der Herstellung von Schichten auf Industriestandard
Herzogenrath, 22. Dezember 2020 - Die speziell für die Herstellung
großflächiger Graphen-Schichten im Rahmen des GIMMIK-Forschungsprojekts
entwickelte CVD-Anlage ist in Betrieb gegangen. AIXTRON SE (FSE: AIXA), einer
der weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie, hat einen neuen, für Industrieanforderungen spezifischen
Reaktor zur Verarbeitung von Graphen und hexagonalem Bornitrid (hBN) auf 200
mm-Epi-Wafern entwickelt, gebaut und installiert.
hBN ist eine Bor-Stickstoff-Verbindung mit einer hexagonalen Kristallstruktur.
Der speziell für diese Anwendung entwickelte Reaktor baut auf dem vorhandenen
Wissen über CVD-Systeme mit der Showerhead-Technologie auf. Er ist in der Lage,
die notwendige Produktspezifikation zu erreichen, die für eine erfolgreiche
industrielle Anwendung dieser Materialien erforderlich ist.
Das Forschungsprojekt GIMMIK (Graphene processing on 200mm wafers for
microelectronic applications) hat sich zum Ziel gesetzt, dass Graphen und hBN
zu industriellen Zwecken eingesetzt werden kann. Daher soll die Herstellung von
Graphenschichten unter industriellen Bedingungen evaluiert werden. Die
Konsortialpartner entwickeln Methoden zur Sicherstellung einer gleichbleibend
hohen Graphen- und hBN-Qualität als Grundlage für die Produktionstauglichkeit
für Abscheidungs- und Integrationsprozesse.
AIXTRON beginnt nun mit der Produktion von GR/hBN-Schichten für die
Konsortialpartner und der Optimierung der Schichten und Prozesse.
Projektteilnehmer sind das Forschungszentrum IHP - Leibniz-Institut für
innovative Mikroelektronik, die Unternehmen der Halbleiterindustrie Infineon,
Protemics und LayTec sowie die RWTH Aachen University. Der
Depositionsspezialist aus Herzogenrath ist Projektkoordinator.
Das Ziel: Unterstützung der industriellen Anwendung von GR/hBN
"Nach der Installation und der Testphase der neuen CVD-Anlage sind wir in
unserem GIMMIK-Projekt einen entscheidenden Schritt weitergekommen. Denn wir
haben nun die spezifische Anlage und damit das Instrument, mit dem wir unsere
Arbeiten zur Entwicklung von Prozessen zur Herstellung von Schichten mit der
notwendigen Wafer-Größe und -qualität beginnen können. Dies ist extrem wichtig
für Anwendungen in den schnell wachsenden Märkten der Mikroelektronik und
Sensorik", sagt Professor Dr. Michael Heuken, Vice President Corporate Research
& Development der AIXTRON SE und Professor an der RWTH Aachen University. "Und
wir wissen, dass wir in diesem wichtigen Forschungsprojekt bereit sind für die
nächsten, spannenden Schritte hin zu neuen Bauelementen und neuen Anwendungen
sowie zur Produktion."
Die Materialien Graphen und hBN können ein entscheidender Treiber bei der
Entwicklung innovativer Produkte und bei der Schaffung der notwendigen
Energieeffizienz im Hinblick auf die Klimakrise sein. Eine breite Palette von
Anwendungen wie Transistoren, Sensoren, photonische Bauelemente sind möglich.
Aufgrund seiner extrem hohen Ladungsträgerbeweglichkeit eröffnet Graphen die
Möglichkeit, RF (Radiofrequenz)-Transistoren mit Grenzfrequenzen im THz-Bereich
herzustellen. Für sie sind zahlreiche Anwendungen in der energieeffizienten
Hochfrequenzelektronik denkbar.
"Graphen und CVD-gewachsenes hBN könnten damit einen wesentlichen Beitrag zu
einer der großen Herausforderungen leisten, nämlich der Forderung nach einer
deutlich höheren Energieeffizienz", betont Prof. Dr. Michael Heuken.
Hohes Potenzial auch zur Verbesserung der Energieeffizienz
Im Automobilbereich kann Graphen nicht nur für Sensoren zur Fahrzeugsicherheit
eingesetzt werden. Auch mobile Anwendungen (Smartphones, Uhren) spielen eine
immer wichtigere Rolle. Graphen ist ein wichtiger Baustein zur Erzielung von
Wettbewerbsvorteilen mit Produkten wie Magnetsensoren, Mikrofon-Drucksensoren
oder optischen Sensoren, in denen Graphen als funktionale und
marktdifferenzierende Komponente eingesetzt werden kann.
Nicht zuletzt sind neue Kombinationen von Graphen- und Silizium-basierten
photonischen Bauelementen auf Wafer-Ebene möglich. Sie würden Graphen-basierte
Modulatoren mit hoher thermischer Stabilität und deutlich reduziertem
Bauelement-Footprint sowie Photodetektoren ermöglichen, die den derzeit
verfügbaren photonischen integrierten Bauelementen (Silizium (Si)-Halbleitern
und III/V-Halbleitern) überlegen sind.
Weitere Information zu GIMMIK hier.
Das Projekt GIMMIK wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
gefördert (Fördernummer 03XP0210A).
Ansprechpartner
Guido Pickert
Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation
TELEFON +49 (2407) 9030-444
E-MAIL g.pickert@aixtron.com
Rita Syre
Senior PR Manager
TELEFON +49 (2407) 9030-3665
MOBIL +49 (162) 269 3791
E-MAIL r.syre@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz
in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen
in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von
einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-
oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in
einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt.
Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC-
und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R),
Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R),
STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter
www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
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Schlagwort(e): Unternehmen
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