AIXTRON SE neue SiC-Plattform erfüllt die hohen Anforderungen bei der Produktionsqualifizierung / EpiWorld baut Epitaxie-Strukturen für SiC-Leistungsbauelemente auf
DGAP-Media / 16.12.2020 / 11:40
EpiWorld qualifiziert AIXTRON G5 WW C-Anlage für die SiC-Produktion
AIXTRONs neue SiC-Plattform erfüllt die hohen Anforderungen bei der
Produktionsqualifizierung / EpiWorld baut Epitaxie-Strukturen für
SiC-Leistungsbauelemente auf
Herzogenrath, 16. Dezember, 2020 - AIXTRONsneue SiC-Plattformhat die
Produktionsqualifizierung von Epiworld International Co., Ltd. erfolgreich
abgeschlossen. Jetzt kann EpiWorld mit der innovativen AIX G5 WW C-Anlage die
Großserienproduktion von SiC-Epitaxie-Produkten am neuen Produktionsstandort in
Xiamen aufnehmen. Die VPE-Anlage (Gasphasenepitaxie) von AIXTRON SE (FSE:
AIXA), einem der weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie, ist mit der neuesten Planeten-Reaktor(R)-Plattform von
AIXTRON für die Herstellung von 8x150 mm Epi-Wafern auf Basis von
Siliziumkarbid (SiC) ausgestattet.
EpiWorld, ein auf dem Weltmarkt führendes SiC-Epitaxie-Serviceunternehmen mit
Sitz in China, will seine Produktionskapazitäten weiter ausbauen, um die
steigende Nachfrage der Kunden zu befriedigen. Das Unternehmen hat bereits
Produktionslinien für 4- und 6-Zoll-SiC-Epi-Wafer zur Herstellung von
650-Volt-, 1.200-Volt- und 1.700-Volt-Leistungsbauelementen fertiggestellt. Das
kürzlich aufgebaute Fertigungszentrum bietet Platz für eine schnelle
Erweiterung auf 400.000 6-Zoll-Epi-Wafer pro Jahr. EpiWorld hat derzeit eine
Kapazität von über 60.000 Stück jährlich.
Epi-Wafer auf höchstem Qualitätsniveau auf neuer SiC-Plattform
"In den vergangenen Jahren haben wir uns als führender Lieferant von
SiC-Epi-Wafer für Leistungsbauelemente bei verschiedenen Anbietern im
Automobilsektor qualifiziert und verfügen daher über eine starke Präsenz in
einer der anspruchsvollsten Branchen weltweit. Da wir und unsere Kunden hohe
Qualitätsansprüche haben, vertrauen wir auf AIXTRONs bewährte
Anlagentechnologie und sind bereit, mit der AIX G5 WW C in die
Großserienproduktion unserer Bauelemente auf Basis von SiC-Epi-Wafer
einzusteigen", sagt Dr. Feng, General Manager von EpiWorld.
Dr. Feng fügt hinzu: "Der Reaktor in der AIX G5 WW C-Anlage von AIXTRON für
SiC-Epi-Wafer kombiniert die Leistung einer Single-Wafer-Anlage mit den
Kostenvorteilen eines Multi-Wafer-Reaktors. Die Anlage garantiert EpiWorld den
branchenweit höchsten Durchsatz bei niedrigsten Produktionskosten und
ermöglicht gleichzeitig eine hervorragende Produktionsqualität."
Megatrends wie die E-Mobilität ermöglichen
Der Markt für SiC-Epi-Wafer für die Leistungselektronik wächst schnell. Der
hohe Wirkungsgrad von Bauelementen aus Siliziumkarbid ermöglicht
Energieeinsparungen, Wärmereduzierung, Gewichts- und Systemgrößenreduzierung
und dadurch insgesamt niedrigere Systemkosten. Dies prädestiniert sie für den
Einsatz in Bereichen wie Elektrofahrzeuge (EVs), EV-Ladestationen und
Anwendungen im Segment der erneuerbaren Energien wie Solar- und
Windkraftumrichter.
"Wir freuen uns, den wichtigen Meilenstein der Produktionsqualifizierung bei
einem der führenden Epitaxie-Unternehmen mit unserer neuen SiC-Plattform zu
erreichen, um die weitere Kommerzialisierung von Siliziumkarbid zu
beschleunigen", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Marketing Power
Electronics der AIXTRON SE. "Unser Kunde EpiWorld ist gut aufgestellt, um den
schnell wachsenden Markt für SiC-Leistungsbauelemente in der chinesischen
Automobilindustrie und darüber hinaus zu adressieren. Die erweiterten
Produktionskapazitäten bei EpiWorld werden die Entwicklung zahlreicher
Anwendungen im Segment High-End-Leistungselektronik unterstützen, die
Megatrends wie E-Mobilität oder erneuerbare Energien bedienen."
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Ansprechpartner
Guido Pickert
Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation
TELEFON +49 (2407) 9030-444
E-MAIL g.pickert@aixtron.com
Rita Syre
Senior PR Manager
TELEFON +49 (2407) 9030-3665
MOBIL +49 (162) 269 3791
E-MAIL r.syre@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz
in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen
in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von
einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-
oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in
einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt.
Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC-
und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R),
Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R),
STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter
www.aixtron.com verfügbar.
Über EpiWord
Epiworld International Co., LTD ist ein Privatunternehmen mit Sitz in der Stadt
Xiamen, China. Das Unternehmen ist ein Joint Venture mit Investoren aus den
USA, Japan und China. Es verfügt über mehrere, modernste Epitaxie-Anlagen für
die 4"- und 6"-SiC-Epitaxie, automatische Fehlererkennung und Mapping-Systemen
in einem Reinraum der Klasse 100. Das Unternehmen hat sich zum Ziel gesetzt,
die führende SiC-Epitaxie-Service-Foundry auf dem Weltmarkt zu sein und die
hochwertigsten Epitaxie-Wafer mit dem wettbewerbsfähigsten Preis in der
kürzesten Lieferzeit zu liefern. Als reine SiC-Epitaxie-Service-Foundry bietet
EpiWorld standardmäßige 4H-SiC-Epitaxiewafer von 4" und 6" für Schottky-Dioden,
MOSFETs, JFETs und BJTs über einen weiten Spannungsbereich für grüne
Energiesysteme wie Solar-Wechselrichter, Windparks, Hybrid- und
Elektrofahrzeuge und zahlreiche andere energieeffiziente Systeme. EpiWorld
bietet auch kundenspezifische Wafer für IGBTs, GTO-Thyristoren und
F&E-Strukturen über einen breiteren Spannungsbereich für Anwendungen in
Leistungsumwandlungssystemen mit mittleren bis sehr hohen Spannungen.
Weitere Informationen sind verfügbar auf der Unternehmenswebseite:
www.epiworld-cn.com
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
vor.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen
16.12.2020 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP -
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