vollautomatische AIX G5+ C-Anlage zur Positionierung auf aufstrebenden Markt für GaN-auf-Silizium-Materialanwendungen / Höchster Durchsatz mit exzellenter Gleichförmigkeit
DGAP-Media / 25.08.2020 / 10:36
Siltronic fährt GaN-Wafer-Aktivitäten mit AIXTRON-Anlage hoch
Bestellung einer vollautomatischen AIX G5+ C-Anlage zur Positionierung auf dem
aufstrebenden Markt für Galliumnitrid-auf-Silizium-Materialanwendungen /
Höchster Durchsatz mit exzellenter Gleichförmigkeit ermöglicht schnelles
Hochfahren der Anlage
Herzogenrath, 25. August 2020 - Die Siltronic AG verstärkt ihr Geschäft mit
GaN-on-Si-Wafern mit einer AIX G5+ C-Anlage der AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem
weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie.
Die AIX G5+ C-Anlage ist vollautomatisiert und mit einer In-situ-Reinigung und
einem Kassette-zu-Kassette-Transfermodul ausgestattet, das beste
Epitaxie-Stabilität und unübertroffen niedrige Defektraten bietet. Der
hochmoderne Planeten-Reaktor(R) verfügt über die Auto-Feed Forward (AFF) von
AIXTRON individuelle On-Wafer-Temperaturregelung und eine 8x150-mm- und
5x200-mm-Konfiguration. Die Anlage wird im vierten Quartal dieses Jahres an den
Kunden ausgeliefert.
Wafer-Ausrüstung für kommende Megatrends
Siltronic ist ein führender Anbieter von Silizium-Wafern für die
Halbleiterindustrie und wird den zusätzlichen Epitaxie-Reaktor nutzen, um die
Position auf dem aufstrebenden GaN-on-Si-Markt zu stärken. Die AIX G5+ C wird
von Siltronic für die Herstellung von 150 mm- und 200
mm-Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Epi-Wafern für Radiofrequenz (RF)-
und Leistungselektronikanwendungen eingesetzt.
RF, Leistungselektronikbauelemente und Schaltkreise ermöglichen hohe
Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement mit hohen
Leistungsdichten. Diese Eigenschaften sind für schnell wachsende Anwendungen
wie Serverfarmen, erneuerbare Energien und die nächste Generation drahtloser
Netzwerke (5G) erforderlich. Neben dem kleineren Formfaktor ist GaN-on-Si ein
idealer Kandidat für Schnellladegeräte und die Elektrifizierung von Fahrzeugen.
Ausgewählt von den Besten der Branche
Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG, sagt: "Der GaN-on-Si-Markt ist
ein wichtiges zukünftiges Wachstumsfeld. Im Rahmen des GaN-Power-Programms von
imec, dem Forschungsinstitut für Nanoelektronik, waren wir schon früh sehr
aktiv, um unseren Kunden Spitzenleistungen zu bieten. Um uns in diesem Markt
wettbewerbsfähig zu positionieren, benötigen wir eine Anlage, mit der wir
unseren Kunden die Epi-Wafer mit der besten Leistung liefern und gleichzeitig
das Volumen zu niedrigsten Kosten steigern können. Wir sehen die AIX G5+
C-Anlage in dieser Hinsicht als ideale Lösung sowohl für GaN Power- als auch
für RF-Bauelemente, um die wachsenden Anwendungen und Megatrends zu bedienen.
Der Einsatz der GaN-on-Si-Technologie leistet auch einen zentralen Beitrag zur
Verbesserung der Energiebilanz durch Dekarbonisierung."
"Die GaN-on-Si-Technologie hat in den letzten Jahren einen beeindruckenden
Durchbruch erzielt, und die Geräte setzen sich sowohl in Verbraucher- als auch
in Industrieprodukten für Leistungs- und RF-Anwendungen rasch durch. Die AIX
G5+ C ist eine voll ausgereifte Plattform für diese fortschrittlichen
Anwendungen, und es ist fantastisch, dass wir unsere Kunden bei der
Erschließung dieser neuen Märkte begleiten können", sagt Dr. Felix Grawert, CEO
von AIXTRON.
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Ansprechpartner
Guido Pickert
Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation
TELEFON +49 (2407) 9030-444
E-MAIL g.pickert@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz
in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen
in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von
einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-
oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in
einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt.
Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC-
und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R),
Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R),
STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter
www.aixtron.com verfügbar.
Über Siltronic
Siltronic ist einer der weltweit größten Hersteller von Wafern aus hochreinem
Silizium und Partner vieler führender Halbleiterunternehmen. Das Unternehmen
betreibt Produktionsstätten in Asien, Europa und den USA. Siltronic entwickelt
und fertigt Siliziumwafer mit Durchmessern bis zu 300 mm. Siliziumscheiben
bilden die Grundlage der modernen Mikro- und Nanoelektronik und sind eine
Schlüsselkomponente in Halbleiterchips für Computer, Smartphones,
Navigationssysteme und viele andere Anwendungen. Die Siltronic AG beschäftigt
rund 3.600 Mitarbeiter und ist ein börsennotiertes Unternehmen in Deutschland
(Prime Standard). Die Siltronic-Aktie ist im MDAX und TecDAX vertreten.
Weitere Informationen über Siltronic sind im Internet unter www.siltronic.com
verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
vor.
Ende der Pressemitteilung
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen
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