Everspin Technologies, Inc. Aktie

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Realtime-Estimate Cboe BZX 17:30:30 25.04.2024 % 5 Tage % 1. Jan.
7.435 USD -0.34% Intraday Chart für Everspin Technologies, Inc. -0.53% -17.59%
Umsatz 2024 * 60.05 Mio. 54.85 Mio. Umsatz 2025 * 70 Mio. 63.94 Mio. Marktwert 160 Mio. 146 Mio.
Nettoergebnis 2024 * 5 Mio. 4.57 Mio. Nettoergebnis 2025 * - EV / Sales 2024 * 2.66 x
Nettoliquidität 2024 * - 0 Nettoliquidität 2025 * - 0 EV / Sales 2025 * 2.28 x
KGV 2024 *
28.7 x
KGV 2025 *
-
Beschäftigte 83
Rendite 2024 *
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Streubesitz 94.82%
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Chief Executive Officer 56 01.03.10
Director of Finance/CFO 45 01.10.20
Chairman 64 20.08.18
Aufsichtsräte TitelAlterSeit
Chairman 64 20.08.18
Director/Board Member 89 01.06.08
Director/Board Member 65 03.12.18
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24.04.24 7.46 +1.22% 29 947
23.04.24 7.37 +1.24% 48 473
22.04.24 7.28 +0.14% 71 348
19.04.24 7.27 -2.94% 67 841

verzögerte Kurse Nasdaq, Am 25. April 2024 um 17:05 Uhr

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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.
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