GlobalFoundries und Qualcomm Technologies, Inc. gaben bekannt, dass sie ihr bestehendes strategisches, langfristiges Abkommen über die Halbleiterproduktion mehr als verdoppeln, das zuvor von den jeweiligen Tochtergesellschaften von GF und Qualcomm abgeschlossen wurde. Die heutige Ankündigung sichert die Versorgung mit Wafern und die Verpflichtung zur Unterstützung der US-Fertigung durch Kapazitätserweiterung in der modernsten Halbleiterproduktionsstätte von GF in Malta, New York. Die Ankündigung erfolgte in Washington D.C. auf einem von GF, der Ford Motor Company und Applied Materials gemeinsam veranstalteten CEO-Gipfel, an dem auch der Direktor des National Economic Council, Brian Deese, der Unterstaatssekretär des Verteidigungsministeriums für Beschaffung und Nachhaltigkeit, Dr. William LaPlante, und der Senior Director für Technologie und nationale Sicherheit des National Security Council, Tarun Chhabra, teilnahmen und die Bedeutung der heimischen Fertigung für die nationale und wirtschaftliche Sicherheit unterstrichen.

Zu den Teilnehmern des Gipfels gehörten CEOs und hochrangige Führungskräfte aus der gesamten Halbleiterlieferkette, von Werkzeug- und Waferherstellern über wichtige Zulieferer bis hin zu den Endverbrauchern von in den USA hergestellten Chips. GF stellt seit vielen Jahren die funktionsreichen und leistungsstarken Chips von Qualcomm Technologies her und ist dabei weltweit präsent. Im Jahr 2021 wird Qualcomm Global Trading Pte. Ltd. (QGT), eine Tochtergesellschaft von Qualcomm Technologies, einer der ersten Kunden von GF, der sich mit einem langfristigen Vertrag, der mehrere Regionen und Technologien abdeckt, seine Versorgung sicherte.

Diese Vereinbarung sicherte 22FDX-Kapazitäten in der Dresdner Anlage von GF und wird nun auch Kapazitäten in der kürzlich angekündigten Anlage von GF in Crolles, Frankreich, umfassen, was QGT zu einem Ankerkunden für die führende europäische Technologie von GF macht. QGT hat sich außerdem Kapazitäten für die marktführenden 8SW Hochfrequenz-Silizium-auf-Isolator (RFSOI)-Technologien von GF für Sub 6GHz 5G Front-End-Module (FEM) gesichert, die in erster Linie in den Anlagen von GF in Singapur hergestellt werden, wo die Pläne für den Ausbau des Standorts bereits in vollem Gange sind und die Inbetriebnahme für Anfang 2023 erwartet wird. Die heutige Ankündigung erweitert insbesondere die in den USA ansässige Zusammenarbeit von QGT mit GF im Bereich FinFET für 5G-Transceiver, Wi-Fi, Automotive und IoT-Konnektivität.

Die FinFET-Plattformen von GF bieten eine klassenbeste Kombination aus Leistung, Stromverbrauch und Fläche, die sich hervorragend für High-End-Mobilfunk-, Automobil- und IoT-Anwendungen eignet. Die weltweite Nachfrage nach Halbleitern wächst in einem noch nie dagewesenen Tempo. GF reagiert auf dieses Wachstum mit einer Reihe strategischer, langfristiger Vereinbarungen mit bestehenden und neuen Kunden und baut gleichzeitig seine globalen Kapazitäten aus, um die Kundennachfrage in Zusammenarbeit mit Bundes- und Kommunalbehörden zu erfüllen. Die heutige Ankündigung mit Qualcomm Technologies ist ein wichtiger Schritt im Einklang mit diesem Kooperationsmodell.