Navitas Semiconductor kündigte sein neues Portfolio von Gen-3 ?Fast? (G3F) 650-V- und 1.200-V-SiC-MOSFETs angekündigt, die für schnellste Schaltgeschwindigkeiten, höchste Effizienz und erhöhte Leistungsdichte für Anwendungen wie KI-Stromversorgungen für Rechenzentren, On-Board-Ladegeräte (OBCs), schnelle EV-Ladegeräte am Straßenrand und Solar-/Energiespeichersysteme (ESS) optimiert sind. Das breite Portfolio umfasst Industriestandard-Gehäuse von D2PAK-7 bis TO-247-4, die für anspruchsvolle Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Zuverlässigkeit entwickelt wurden.

Die G3F-Familie ist für High-Speed-Schaltleistung optimiert, was zu einer 40%igen Verbesserung der Hard-Switching Figures-of-Merits (FOMs) im Vergleich zur Konkurrenz in CCM-TPPFC-Systemen führt. Dadurch kann die Wattzahl der nächsten Generation von KI-Netzteilen (PSUs) auf bis zu 10 kW erhöht werden, und die Leistung pro Rack steigt von 30 kW auf 100-120 kW. Die G3F GeneSiC MOSFETs wurden mit einer proprietären ?trench-assisted planar? Technologie entwickelt und bieten eine bessere Leistung als MOSFETs in Trench-Bauweise, während sie gleichzeitig robuster, leichter herstellbar und kostengünstiger als die Konkurrenz sind.

Die G3F-MOSFETs bieten eine hohe Effizienz mit Hochgeschwindigkeitsleistung, eine bis zu 25°C niedrigere Gehäusetemperatur und eine bis zu 3x längere Lebensdauer als SiC-Produkte anderer Anbieter. Die ?trench-assisted planar?-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen RDS(ON)-Anstieg im Vergleich zur Temperatur, was zu den geringsten Leistungsverlusten über den gesamten Betriebsbereich führt und einen bis zu 20% niedrigeren RDS(ON) im realen Betrieb bei hohen Temperaturen im Vergleich zum Wettbewerb bietet.

Darüber hinaus verfügen alle GeneSiC MOSFETs über die höchste veröffentlichte, zu 100 % getestete Avalanche-Fähigkeit, eine um 30 % längere Kurzschlussfestigkeit und eine enge Schwellenspannungsverteilung für eine einfache Parallelschaltung. GeneSiC MOSFETs sind ideal für Anwendungen mit hoher Leistung und kurzer Markteinführungszeit. Navitas neuestes 4,5-kW-Referenzdesign mit hoher Leistungsdichte für AI-Server im CRPS185-Formfaktor zeigt die G3F-FETs mit 650 V Nennleistung und 40 mOhm für eine Interleaved CCM TP PFC-Topologie.

Zusammen mit den GaNSafe? Power ICs in der LLC-Stufe wird eine Leistungsdichte von 138 W/inch3 und ein Spitzenwirkungsgrad von über 97% erreicht, womit die jetzt in Europa vorgeschriebenen ?Titanium Plus?-Wirkungsgradstandards problemlos erfüllt werden.

Für den EV-Markt ermöglichen die 1.200 V/34 mOhm (G3F34MT12K) G3F-FETs dem neuen 22 kW, 800 V Bi-Directional OBC und 3KW DC-DC-Wandler von Navitas eine überragende Leistungsdichte von 3,5 kW/L und einen Spitzenwirkungsgrad von 95,5%.