Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. („PSCS“, Hauptsitz: Nagaokakyo City, Präfektur Kyoto, Präsident: Kazuhiro Koyama) ist eine Vereinbarung mit United Microelectronics Corporation („UMC“, Hauptsitz: Hsinchu City, Taiwan, CEO: Po Wen Yen) über die gemeinsame Entwicklung eines Massenfertigungsverfahrens für 40-nm-ReRAM der nächsten Generation eingegangen[1].

ReRAM wird genauso wie ein Flash-Speicher [2] gegenwärtig weit verbreitet eingesetzt und ist eine Art nicht-flüchtiger Speicher[3]. Das Gerät verfügt über eine einfache Struktur, High-Speed-Verarbeitung und geringen Stromverbrauch. PSCS begann die ReRAM-Massenproduktion im Jahr 2013 mit einem 180-nm-Verfahren, und zur Zeit wird seine 8-Bit-Mikrocomputer-MN101LR-Serie in Anwendungen mit einem niedrigen Stromverbrauch, wie in tragbaren Gesundheitsgeräten, eingesetzt. Das Unternehmen war das erste, das die hohe Zuverlässigkeit von Speicherarrays mit einem 40-nm-Prozess getestet und verifiziert hat.

Das vereinbarte Kooperationsprojekt wird die Integration von 40-nm-ReRAM-Prozesstechnologien, die von PSCS mit UMCs hochzuverlässigen CMOS-Prozesstechnologien entwickelt wurden, ermöglichen. Dies wird eine Prozessplattform für ReRAM erzielen, die anwendbar sind, wie eingebettete Speicher anstelle von Flash-Speichern, um Systemgeräte zu diversifizieren, wie etwa solche, die weit verbreitet in IC-Karten, tragbaren Terminals und IoT-Geräten eingesetzt werden.

PSCS wird Produktmuster, die den neuen 40-nm-Prozess verwenden, im Jahr 2018 versenden und wird der Erste sein, der die Massenproduktion in der Branche startet. Die beiden Unternehmen, PSCS und UMC, werden die gemeinsam entwickelte ReRAM-Prozessplattform anderen Halbleiterherstellern und -zulieferern aus der ganzen Welt anbieten.

Zu diesen Kooperationsprogramm sagte der Präsident von PSCS Kazuhiro Koyama: „Das Unternehmen wird eine breite Palette von optimalen Produkten anbieten, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, indem eine Skalierungsprozessplattform entwickelt wird, die die Marktakzeptanz von ReRAM beschleunigen wird, dessen Massenproduktion in der Branche von PSCS gestartet wurde.“

„Wir freuen uns, diese Produktionsvereinbarung mit Panasonic einzugehen“, sagte Senior Vice President SC Chien von UMC. „Die bewährte Zuverlässigkeit, die schnellen Zykluszeiten und die hohen Ausbeuten unseres 40-nm-Prozesses werden Panasonics ReRAM einen neuen Wettbewerbsvorteil bieten, der zu einem gegenseitigen Nutzen für beide Unternehmen führen wird, wenn das Produkt weitgehend auf dem Markt angenommen wird. Wir freuen uns, mit Panasonic zu arbeiten, um die Massenproduktion ihrer 40-nm-ReRAM in Angriff zu nehmen.“

Über Panasonic
Die Panasonic Corporation ist ein weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung verschiedener elektronischer Technologien und Lösungen für Kunden in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Immobilien, Automobilindustrie, Unternehmenslösungen und Geräte. Seit seiner Gründung 1918 hat das Unternehmen weltweit expandiert und unterhält mittlerweile 474 Tochtergesellschaften und 94 verbundene Unternehmen weltweit, die in dem am 31. März 2016 zu Ende gegangenen Geschäftsjahr einen Nettoumsatz von insgesamt 7,553 Billionen Yen ausweisen konnten. Im Bestreben, durch bereichsübergreifende Innovationen neue Werte zu schaffen, nutzt das Unternehmen seine Technologien, um seinen Kunden bessere Lebensbedingungen und eine bessere Welt zu ermöglichen. Weitere Informationen zu Panasonic: http://www.panasonic.com/global.

Über UMC (United Microelectronics Corporation)
UMC ist eine weltweit führende Halbleiterfertigungsanlage, die eine moderne IC-Produktion für Anwendungen zur Verfügung stellt und alle wichtigen Sektoren der Elektronikindustrie umspannt. UMCs 10 Wafer-Fertigungsstätten sind strategisch in Asien gelegen und in der Lage, mehr als 500.000 Wafer pro Monat zu produzieren. Das Unternehmen beschäftigt mehr als 17.000 Mitarbeiter weltweit und verfügt über Niederlassungen in Taiwan, China, Europa, Japan, Korea, Singapur und den USA.
UMC: http://www.umc.com

 

Terminologie

[1]   ReRAM (Resistive Random Access Memory)
Nichtflüchtiger Speicher, der durch Anlegen von Impulsspannungen auf Metalloxid-Dünnschichten zum Speichern von „0“ und „1“ Unterschiede mit breitem Widerstand erzeugt. Er hat eine einfache Struktur, die durch Elektroden eingeklemmte Metalloxide umfasst, die ein einfaches Herstellungsverfahren ermöglichen, sowie hervorragende Eigenschaften, wie einen niedrigen Stromverbrauch und Hochgeschwindigkeitsneubeschreiben.
 
[2] Flash-Speicher
Nichtflüchtiger Speicher, der elektrisch gelöscht und neu beschrieben werden kann.
 
[3] Nichtflüchtiger Speicher
Halbleiterspeicher, der Daten behält, selbst wenn keine Stromversorgung vorhanden ist.
 

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