STMicroelectronics und MACOM Technology Solutions Holdings Inc. haben die erfolgreiche Produktion von Hochfrequenz-Galliumnitrid-auf-Silizium (RF GaN-on-Si) Prototypen bekannt gegeben. Mit diesem Erfolg werden ST und MACOM ihre Zusammenarbeit fortsetzen und ihre Beziehungen ausbauen. RF GaN-on-Silicon bietet ein hohes Potenzial für die 5G- und 6G-Infrastruktur.

Die seit langem etablierte RF-Leistungstechnologie, lateral-diffundierte Metalloxid-Halbleiter (LDMOS), dominierte die RF-Leistungsverstärker (PAs) der ersten Generation. GaN bietet überlegene HF-Eigenschaften und eine deutlich höhere Ausgangsleistung als LDMOS für diese HF-PAs. Außerdem kann es entweder auf Silizium- oder auf Siliziumkarbid-Wafern (SiC) hergestellt werden.

RF GaN-on-SiC kann teurer sein, da SiC-Wafer bei Hochleistungsanwendungen konkurrieren und die Halbleiterverarbeitung nicht dem Mainstream entspricht. Andererseits wird erwartet, dass die GaN-on-Si-Technologie, die von ST und MACOM entwickelt wird, eine wettbewerbsfähige Leistung in Verbindung mit großen Skaleneffekten bietet, die durch die Integration in Standard-Halbleiterprozessabläufe ermöglicht wird.