Texas Instruments Incorporated gab bekannt, dass LITEON Technology den hochintegrierten Galliumnitrid-Feldeffektsensor (GaN) von TI zusammen mit C2000-Echtzeit-Mikrocontrollern (MCUs) für sein neuestes Hochleistungs-Server-Netzteil (PSU) für den nordamerikanischen Markt ausgewählt hat. Mit dem LMG3522R030 GaN-FET von TI und einem TMS320F28003x C2000 Echtzeit-MCU bietet das neue Netzteil eine Leistungsdichte von über 95 W/in3 und erfüllt die 80 Plus Titanium Standards. Rechenzentren, Telekommunikationsgeräte und viele industrielle Anwendungen erfordern zunehmend größere Netzteile, während gleichzeitig die Größe, das Gewicht, die Umweltbelastung und die Kosten des Systems reduziert werden müssen.

Dies hat die Ingenieure vor die Herausforderung gestellt, neue Wege zu finden, um höhere Leistungswerte bei gleichen oder kleineren Formfaktoren zu erreichen und gleichzeitig die thermische Leistung zu verbessern. Um diese Herausforderungen in Bezug auf die Leistungsdichte und die Anforderungen an künftige Stromversorgungen zu meistern, hat LITEON TI GaN und C2000 Echtzeit-MCUs eingesetzt, um ein flexibles Tochterkarten-Design zu entwickeln. Das Design hilft den Ingenieuren außerdem, die Projektentwicklungszyklen zu verkürzen, indem es ihnen ermöglicht, das Design auf unterschiedliche Anforderungen an die Stromversorgung zu skalieren.

Die Design-Ingenieure von LITEON arbeiteten mit den Experten von TI zusammen, um die Einführung der GaN-Technologie in ihrem PSU-Design zu beschleunigen, indem sie gemeinsam den Power Loop und das Layout der Tochterkarte optimierten. Darüber hinaus nutzte LITEON das Fachwissen von TI im Bereich der Leistungs-FETs und des Controller-Designs, um die Zuverlässigkeit des Netzteils durch eine umfassende Verifizierung auf Systemebene zu verbessern. Die flexible, hochauflösende Pulsweitenmodulation (PWM) der C2000-Echtzeit-MCUs und GaN von TI hilft den Ingenieuren außerdem, hohe Schaltfrequenzen, fortschrittliche Topologien und Schaltschemata zu ermöglichen.