Kurs FAKTOR-OPTIONSSCHEIN - NAVITAS SEMICONDUCTOR

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MG0V23

DE000MG0V237

Markt geschlossen - Börse Stuttgart 21:56:07 20.06.2025
0.1640 EUR +2.50% Intraday Chart für FAKTOR-OPTIONSSCHEIN - NAVITAS SEMICONDUCTOR
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WKNTypProdukttyp Fälligkeit Elastizität Hebel ParitätKurs
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0.0400 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 2x 2.191

1.390 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 12.272

0.1640 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 2x 1

0.001000 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 2x 0.554

5.520 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 1.738

1.170 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 0.307

9.710 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 2x 0.1

30.68 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 0.035

58.11 EUR

CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 4x 0.031

48.80 EUR

Mehr Ergebnisse
Datum Kurs %
20.06.25 0.1640 +2.50%
18.06.25 0.1600 +7.38%
17.06.25 0.1490 -40.16%

verzögerte Kurse Börse Stuttgart

Letzte Aktualisierung Am 20. Juni 2025 um 21:56 Uhr

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Stammdaten

ProdukttypExotische Produkte
Kauf / VerkaufCALL
Basiswert NAVITAS SEMICONDUCTOR CORPORATION
Emittent Morgan Stanley
WKN MG0V23
ISINDE000MG0V237
Emissionsdatum 25.03.2024
Basispreis4.668 $
Fälligkeit Unbegrenzt
Parität 12.27 : 1
Emissionspreis10.00
Emissionsvolumen N/A
Rückzahlungsart Barausgleich
Währung EUR

Technische Kennzahlen

Hoch seit Emission11.74
Tief seit Emission0.0130

Unternehmensprofil

Navitas Semiconductor Corporation ist ein Unternehmen für Leistungshalbleiter. Das Unternehmen entwirft, entwickelt und vermarktet Leistungshalbleiter, darunter integrierte Schaltkreise (ICs) aus Galliumnitrid (GaN), Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC), zugehörige Silizium-Systemcontroller und digitale Isolatoren, die bei der Stromumwandlung und beim Laden verwendet werden. Stromversorgungen, die seine Produkte enthalten, werden in einer Vielzahl von Elektronikprodukten eingesetzt, darunter Schnellladegeräte für Mobiltelefone und Laptops, Unterhaltungselektronik, Rechenzentren, Solarwechselrichter und Elektrofahrzeuge sowie zahlreiche andere Anwendungen. Die GaNFast Power ICs des Unternehmens integrieren GaN-Leistung und -Antrieb mit Steuerung, Sensorik und Schutz, um schnelleres Laden, höhere Leistungsdichte und Energieeinsparungen zu ermöglichen. Die GeneSiC-Leistungsbausteine sind mit zuverlässigen SiC-Lösungen optimiert. Das Unternehmen bietet auch eine Reihe von SiC-MOSFETs und -Dioden an, die bei höheren Temperaturen einen geringeren Widerstand aufweisen, 25°C kühler sind und eine dreimal längere Lebensdauer haben.
Sektor
-
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