Diodes Incorporated hat den High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber DGD0579U vorgestellt. Dieser Hochfrequenzbaustein mit integrierter Bootstrap-Diode kann zwei n-Kanal-MOSFETs in Halbbrückenkonfigurationen ansteuern, die üblicherweise für die Motorsteuerung und DC-DC-Stromversorgungsfunktionen verwendet werden. Er zielt auf Hochleistungsanwendungen wie kabellose Elektrowerkzeuge, E-Bikes und autonome Robotergeräte, bei denen zunehmend höhere Wirkungsgrade und kompaktere Abmessungen gefordert sind. Der 100-V-High-Side-Treiber DGD0579Us bietet mehr Flexibilität für anspruchsvolle High-Power-Anwendungen. Kurze Ausbreitungsverzögerungen (typischerweise 60 ns) und Verzögerungsanpassung (innerhalb von 10 ns) ermöglichen höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Totzeiten, was zu kleineren, effizienteren Leistungssystemimplementierungen führt. Fortschrittliche MOSFET-Schutzmechanismen sind direkt in den Baustein integriert, was die Systemzuverlässigkeit verbessert, den Platzbedarf auf der Leiterplatte optimiert und die Anzahl der Komponenten im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen weiter reduziert. Zu diesen Mechanismen gehören die Verhinderung von Querschlüssen, so dass die High-Side- und Low-Side-MOSFETs nicht gleichzeitig eingeschaltet sind, sowie die Unterspannungsabschaltung (UVLO), um potenzielle Versorgungsverluste zu vermeiden. Der Baustein verfügt über einen Enable-Pin für das Power-Management und einen Ultra-Low (