ACM Research, Inc. hat über seine Tochtergesellschaft ACM Research (Shanghai), Inc. den Eingang der ersten Bestellung für sein Ultra C SiC-Substratreinigungsgerät bekannt gegeben. Die Plattform nutzt die patentierte SAPS-Reinigungstechnologie (Space Alternated Phase Shift) von ACM, die eine umfassendere Reinigung ohne Beschädigung der Bauteileigenschaften ermöglicht. Der Auftrag wurde von einem führenden chinesischen Hersteller von Siliziumkarbid (SiC)-Substraten erteilt und wird voraussichtlich noch vor Ende des dritten Quartals 2023 ausgeliefert.

SiC-Substrate werden zur Herstellung von Leistungshalbleitern verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz kommen, z. B. bei der Energieumwandlung, in Elektrofahrzeugen und bei erneuerbaren Energien. Zu den wichtigsten Vorteilen der SiC-basierten Technologie gehören geringere Schaltleistungsverluste, eine höhere Leistungsdichte, eine bessere Wärmeableitung und eine größere Bandbreitenfähigkeit. Die steigende Nachfrage nach Leistungshalbleitern aus verschiedenen Branchen wie der Automobilindustrie und den erneuerbaren Energien treibt das Wachstum des Marktes für SiC-Bauelemente an, der laut Yole Développement bis 2026 voraussichtlich 4 Milliarden Dollar übersteigen wird.