Die Navitas Semiconductor Corporation hat die erste einer Reihe von strategischen Investitionen in die Fertigung angekündigt, um die Kontrolle zu verbessern, die Kosten zu senken und die Ertragskapazität für ihre GeneSiC Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter zu erhöhen.
Eine erste Investition in Höhe von 20 Millionen Dollar ermöglicht eine SiC-Epitaxieanlage mit drei Reaktoren am Hauptsitz des Unternehmens in Torrance, Kalifornien. Das Aufbringen einer SiC-Epitaxieschicht auf einen rohen SiC-Wafer ist der erste Schritt zur Herstellung individueller SiC-Leistungsbauelemente. Der erste AIXTRON G10-SiC-Epitaxiereaktor, der 6o und 8o Wafer aufnehmen kann, wird voraussichtlich 2024 vollständig qualifiziert sein und in Produktion gehen. Navitas betrachtet die Epitaxiedienstleistungen, die von der neuen Anlage erbracht werden, als einen kritischen Prozessschritt, der die jährliche Produktion um bis zu 200 Millionen Dollar steigern könnte. Das Unternehmen geht davon aus, dass es auch weiterhin Drittanbieter für zusätzliche Epi-Growth-, Wafer-Fertigungs- und Montagearbeiten in Anspruch nehmen wird.