Navitas Semiconductor hat seine Teilnahme an der kommenden Power Electronics International Konferenz vom 16. bis 17. April 2024 in Brüssel, Belgien, angekündigt. Die Zuverlässigkeit der Stromnetze ist ein Schlüsselfaktor in einem 1,3 Billionen Dollar schweren Markt für Leistungshalbleiter, denn die Technologien von Navitas beschleunigen den Übergang von fossilen Brennstoffen zu erneuerbaren Energien.

Navitas wird dem europäischen Publikum die neuesten GaNFast? und GeneSiC? Produkte vorstellen, darunter das neue Gen-3 Fast SiC für hohe Leistung und höhere Geschwindigkeiten, sowie GaNSafe?

- die am besten geschützten GaN-Leistungsbauelemente der Welt. Navitas wird am 17. April die folgenden Produkte vorstellen: "3,3 kV SiC MOSFETs beschleunigen netzgekoppelte Energiespeicherung", Dr. Ranbir Singh, EVP GeneSiC. Zusammenfassung: Das Stromnetz versorgt die Erzeuger mit Energie und liefert sie über die Übertragungs- und Verteilungsnetze (T&D) an die Kunden.

In den USA war der Einsatz von Stromspeichern zur Unterstützung und Optimierung des T&D-Netzes aufgrund der hohen Speicherkosten und der begrenzten Erfahrung in Bezug auf Design und Betrieb bisher begrenzt. Jüngste Verbesserungen bei den Speicher- und Energietechnologien in Verbindung mit Veränderungen auf dem Markt läuten jedoch eine Ära mit wachsenden Möglichkeiten für die Stromspeicherung ein. SiC-Wechselrichter werden die Stromerzeugung, die Integration erneuerbarer Energien und die Energiespeicherung revolutionieren.

Es ist allgemein bekannt, dass siliziumbasierte Halbleiter inhärente Einschränkungen haben, die ihre Eignung für Anwendungen im Versorgungsbereich einschränken. "Bi-direktionale Schaltkreise eröffnen neue Möglichkeiten für netzunabhängige Anwendungen", erklärt Alfred Hesener, Senior Director Industrial and Consumer Applications. Zusammenfassung: Bidirektionale Schaltkreise sind entscheidend, um die Schwankungen zwischen Angebot und Nachfrage bei Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien effektiv auszugleichen.

In der Vergangenheit waren sie teuer in der Herstellung und komplex in der Implementierung in Leistungselektronik-Anwendungen. GaN-Leistungs-ICs mit breiter Bandlücke und integrierter Ansteuerung und fortschrittlichen Schaltungsfunktionen bieten benutzerfreundliche, zuverlässige Schaltungen mit hoher Leistungsdichte und Funktionalität für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen, Solarwechselrichter und Halbleiterschutzschalter.