ROHM Semiconductor hat die neuen Siliziumkondensatoren der BTD1RVFL-Serie angekündigt. Die Bauelemente werden zunehmend in Smartphones und tragbaren Geräten eingesetzt. Die über viele Jahre hinweg kultivierte Technologie der Silizium-Halbleiterverarbeitung hat eine höhere Leistung bei geringerer Größe ermöglicht.

Smartphones und andere Geräte mit wachsender Funktionalität erfordern kleinere Komponenten, die eine hochdichte Montage ermöglichen. Siliziumkondensatoren, die die Dünnschicht-Halbleitertechnologie nutzen, können eine höhere Kapazität in einem dünneren Formfaktor bieten als bestehende keramische Vielschichtkondensatoren (MLCCs). Gleichzeitig beschleunigen die stabilen Temperatureigenschaften zusammen mit der ausgezeichneten Zuverlässigkeit den Einsatz dieser Kondensatoren in einer Vielzahl von Anwendungen.

In Erwartung eines weltweiten Marktwachstums für Siliziumkondensatoren auf 300 Milliarden Yen (ca. 2 Milliarden US-Dollar) bis 2030 (etwa 1,5 Mal höher als 2022) hat ROHM kompakte Hochleistungs-Siliziumkondensatoren entwickelt, indem es proprietäre Halbleiterprozesse nutzt. Die Siliziumkondensatoren von ROHM, die mit der proprietären RASMID?-Miniaturisierungstechnologie hergestellt werden, ermöglichen eine Verarbeitung in 1µm-Schritten, wodurch Abplatzungen bei der Außenformung vermieden und die Maßtoleranzen innerhalb von ±10µm verbessert werden. Diese geringe Variation der Produktgröße ermöglicht die Montage mit einem geringeren Abstand zwischen benachbarten Komponenten.

Gleichzeitig wurde die Rückseitenelektrode, die für die Verklebung mit dem Substrat verwendet wird, auf den Rand des Gehäuses ausgedehnt, um die Montagefestigkeit zu verbessern. Die erste Serie, die BTD1RVFL-Serie (BTD1RVFL102 /BTD1RVFL471), besteht aus den branchenweit kleinsten[1] oberflächenmontierbaren Siliziumkondensatoren in den Größen 01005 (0,1 Zoll × 0,05 Zoll) /0402 (0,4 mm × 0,2 mm), die in Massenproduktion hergestellt werden. Die Montagefläche ist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der Größen 0201 (0,2 Zoll × 0,1 Zoll) /0603 (0,6 mm × 0,3 mm) um ca. 55% auf nur 0,08 mm2 reduziert, was zu einer größeren Miniaturisierung der Anwendung beiträgt.

Darüber hinaus sorgt ein eingebautes TVS-Schutzelement für eine hohe ESD-Beständigkeit, die die Anzahl der für Überspannungsschutzmaßnahmen und andere Schaltungsdesign-Elemente erforderlichen Arbeitsstunden minimiert. ROHM plant für 2024 die Entwicklung einer zweiten Serie mit überlegenen Hochfrequenzeigenschaften, die ideal für Hochgeschwindigkeits-Kommunikationsgeräte mit großer Kapazität sind. ROHM entwickelt auch Produkte für Server und andere industrielle Geräte, um die Anwendbarkeit weiter zu erhöhen.