SK hynix Inc. gab bekannt, dass es ein 238-Layer-NAND-Flash-Produkt entwickelt hat. Das Unternehmen hat kürzlich Muster des 238-Layer 512Gb Triple Level Cell (TLC) 4D NAND-Produkts an Kunden ausgeliefert und plant, in der ersten Hälfte des Jahres 2023 mit der Massenproduktion zu beginnen. Dreistufige Zelle (TLC): NAND-Flash-Produkte werden in Single Level Cell, Multi Level Cell, Triple Level Cell, Quadruple Level Cell und Penta Level Cell eingeteilt, je nach der Anzahl der in einer einzelnen Zelle enthaltenen Informationen (Einheit: Bit).

Dass eine Zelle mehr Informationen enthält, bedeutet, dass mehr Daten auf der gleichen Fläche gespeichert werden können. Das Unternehmen stellte die Entwicklung des neuesten Produkts auf dem Flash Memory Summit 2022 in Santa Clara vor. Flash Memory Summit (FMS): Die weltweit größte Konferenz für die NAND-Flash-Industrie, die jedes Jahr in Santa Clara stattfindet.

Während seiner Grundsatzrede auf der Veranstaltung machte SK hynix eine gemeinsame Ankündigung mit Solidigm. Seit der Entwicklung des 96-Layer-NAND-Produkts im Jahr 2018 hat SK hynix eine Reihe von 4D-Produkten eingeführt, die die bestehenden 3D-Produkte übertreffen. Das Unternehmen hat Chips mit 4D-Strukturen mit Hilfe von Charge Trap Flash und Peri-Under-Cell-Technologien hergestellt.

4D-Produkte haben im Vergleich zu 3D eine kleinere Zellfläche pro Einheit, was zu einer höheren Produktionseffizienz führt. Charge Trap Flash (CTF): Im Gegensatz zu Floating Gate, bei dem elektrische Ladungen in Leitern gespeichert werden, werden bei CTF elektrische Ladungen in Isolatoren gespeichert, wodurch Interferenzen zwischen den Zellen vermieden werden, was die Lese- und Schreibleistung verbessert und gleichzeitig die Zellfläche pro Einheit im Vergleich zur Floating Gate-Technologie verringert. Peri.

Under Cell (PUC): Eine Technologie, die die Produktionseffizienz maximiert, indem periphere Schaltkreise unter dem Zell-Array platziert werden. Das Produkt ist mit 238 Schichten das kleinste NAND, was bedeutet, dass die Gesamtproduktivität im Vergleich zum NAND mit 176 Schichten um 34% gestiegen ist, da mehr Chips mit höherer Dichte pro Flächeneinheit aus jedem Wafer produziert werden können. Die Datenübertragungsgeschwindigkeit des 238-Layer-Produkts beträgt 2,4 Gb pro Sekunde, was einer Steigerung von 50% gegenüber der vorherigen Generation entspricht.

Der Energieverbrauch für das Auslesen der Daten ist um 21% gesunken, eine Leistung, die auch die ESG-Verpflichtung des Unternehmens erfüllt. Die 238-Layer-Produkte werden zunächst für Client-SSDs eingesetzt, die als PC-Speichergeräte verwendet werden, bevor sie später für Smartphones und SSDs mit hoher Kapazität für Server bereitgestellt werden. Das Unternehmen wird nächstes Jahr auch 238-Layer-Produkte mit 1 Terabit (Tb) einführen, deren Dichte sich im Vergleich zum aktuellen 512-Gb-Produkt verdoppelt.