AXT, Inc.

AXT, Inc. ist ein materialwissenschaftliches Unternehmen, das hochleistungsfähige Verbindungs- und Einzelelement-Halbleiter-Wafersubstrate aus Indiumphosphid (InP), Galliumarsenid (GaAs) und Germanium (Ge) entwickelt und herstellt. Seine Wafersubstrate werden verwendet, wenn ein typisches Silizium-Wafersubstrat die Leistungsanforderungen eines Halbleiters oder optoelektronischen Geräts nicht erfüllen kann. Das Unternehmen hat zwei Produktlinien: Substrate aus Spezialmaterialien und Rohstoffe, die in diese Substrate integriert sind. Sein InP ist ein Halbleiter-Wafersubstrat, das in Breitband- und Glasfaseranwendungen, 5G-Infrastrukturen und der Konnektivität von Rechenzentren eingesetzt wird. Seine halbleitenden GaAs-Substrate werden für die Herstellung optoelektronischer Produkte verwendet, darunter helle Leuchtdioden, die häufig für die Hintergrundbeleuchtung von Mobiltelefonen und LCD-Fernsehern sowie für Anwendungen in der Automobilindustrie, Beschilderung und Beleuchtung eingesetzt werden. Seine Ge-Substrate werden in Anwendungen wie Solarzellen für Weltraum- und terrestrische Photovoltaik-Anwendungen eingesetzt.