IBM FlashCore-Module der nächsten Generation enthalten PERSYST 1 Gigabit STT-MRAM von Everspin Technologies, Inc. und erhöhen die Zuverlässigkeit
Am 30. April 2024 um 14:00 Uhr
Teilen
Everspin Technologies, Inc. gab bekannt, dass IBM das PERSYST EMD4E001G 1Gb STT-MRAM für den Einsatz in seinem FlashCore Modul 4 ausgewählt hat. Der EMD4E001G, ein hochleistungsfähiger persistenter Speicher, gewährleistet die Integrität wichtiger Daten auch bei Stromausfall. Mit einer DDR4-Schnittstelle bietet er eine Lese- und Schreibbandbreite von 2,7 Gigabyte/Sekunde, gepaart mit sofortiger Non-Volatilität. Die PERSYST-Technologie von Everspin setzt den Standard für die Leistung von persistenten Speichern.
Teilen
Zum Originalartikel.
Rechtliche Hinweise
Rechtliche Hinweise
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie eine Korrektur wünschen
Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.
EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. 
