Das Board of Directors von HG Semiconductor Limited gab bekannt, dass der Konzern vor kurzem mit der Herstellung eines eigenen 6-Zoll-GaN-Epitaxiewafers für die Leistungselektronik (der Wafer) begonnen hat. Die erfolgreiche Herstellung des Wafers erfolgt weit vor dem erwarteten Zeitplan und ebnet den Weg für die schnelle Industrialisierung und Massenproduktion von GaN-Halbleitern der dritten Generation. Dies stellt einen großen Erfolg bei der Umwandlung der Gruppe in einen Anbieter von GaN-Halbleitern der dritten Generation dar und markiert einen Meilenstein bei der Kommerzialisierung der GaN-Halbleiter der dritten Generation der Gruppe.

Die Gruppe ist weiterhin optimistisch, was die Aussichten für die Herstellung von Halbleitern der dritten Generation, insbesondere für die Herstellung und den Vertrieb von GaN, betrifft, und wird ihre geschäftliche Umwandlung weiter vertiefen, um das Ziel zu erreichen, der Branchenführer bei der Lieferung von GaN-Halbleitern der dritten Generation für den chinesischen Markt zu werden.