Cambridge GaN Devices (CGD) und Neways Electronics (Neways) gaben bekannt, dass sie auf der Electronica 2022 eine Vereinbarung über die Entwicklung von hocheffizienten Photovoltaik-Wechselrichtern auf der Basis von Galliumnitrid-Technologie unterzeichnen werden. Die Partnerschaft, die zustande kam, nachdem sich die beiden Unternehmen bei der Zusammenarbeit im Rahmen des von der EU finanzierten Projekts GaNext kennengelernt hatten, hat bereits Früchte getragen. Auf der Electronica werden die Besucher sowohl am Stand von Neways als auch am Stand von CGD (Halle C3, Stand 535) eine Demo eines 3kW-Photovoltaik-Wechselrichters sehen können, der von den beiden Unternehmen gemeinsam entwickelt wurde.

Mit acht CGD65A055S2 GaN-Transistoren erreicht dieses transformatorlose, ultrakompakte Design eine Leistungsdichte von 1kW/L. Mit einem Vin von 150-350VDC, einem Vout von 230VAC und einer Schaltfrequenz von 350kHz hat das Design einen maximalen Wirkungsgrad von 99,22%.