Raytheon, ein RTX-Unternehmen, hat von der DARPA einen Vierjahresvertrag über 15 Millionen Dollar erhalten, um die elektronischen Fähigkeiten von Hochfrequenzsensoren mit Galliumnitrid-Transistoren hoher Leistungsdichte zu verbessern. Die verbesserten Transistoren werden eine 16-mal höhere Ausgangsleistung haben als herkömmliche Galliumnitrid-Transistoren, ohne dass sich die Betriebstemperatur erhöht. Diese neuen Prototypen werden im Rahmen des DARPA-Programms "Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale" (THREADS) entwickelt.