Vishay Intertechnology, Inc. hat einen vielseitigen neuen 30 V n-Kanal TrenchFET® Gen V Leistungs-MOSFET vorgestellt, der eine höhere Leistungsdichte und verbesserte thermische Leistung für Industrie-, Computer-, Consumer- und Telekommunikationsanwendungen bietet. Mit der Source-Flip-Technologie im 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK®? 1212-F-Gehäuse bietet der Vishay SiliconixSiSD5300DN den klassenbesten On-Widerstand von 0,71 mO bei 10 V und einen On-Widerstand mal Gate-Ladung - eine kritische Kennzahl (FOM) für MOSFETs in Schaltanwendungen - von 42 mO*nC.

Bei gleicher Grundfläche wie der PowerPAK 1212-8S bietet der neue Baustein einen um 18 % niedrigeren On-Widerstand, um die Leistungsdichte zu erhöhen, während seine Source-Flip-Technologie den Wärmewiderstand um 63 degC/W auf 56 degC/W reduziert. Darüber hinaus stellt das FOM des SiSD5300DN eine 35%ige Verbesserung gegenüber den Bausteinen der vorherigen Generation dar, was sich in geringeren Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt, um Energie bei Leistungsumwandlungsanwendungen zu sparen. Die PowerPAK 1212-F Source-Flip-Technologie kehrt die üblichen Proportionen von Masse- und Source-Pads um und vergrößert die Fläche des Masse-Pads, um einen effizienteren Wärmeableitungspfad zu schaffen und so einen kühleren Betrieb zu fördern. Gleichzeitig minimiert der PowerPAK 1212-F die Ausdehnung des Schaltbereichs, was dazu beiträgt, die Auswirkungen von Leiterbahnrauschen zu verringern.

Im PowerPAK 1212-F-Gehäuse vergrößert sich die Größe des Source-Pads um den Faktor 10, von 0,36 mm² auf 4,13 mm², was eine entsprechende Verbesserung der thermischen Leistung ermöglicht. Das Center-Gate-Design des PowerPAK 1212-F vereinfacht auch die Parallelisierung von mehreren Bauteilen auf einer einlagigen Leiterplatte. Das Source-Flip-Gehäuse PowerPAK 1212-F des SiSD5300DN eignet sich besonders für Anwendungen wie sekundäre Gleichrichtung, aktive Clamp-Batteriemanagementsysteme (BMS), Abwärts- und BLDC-Wandler, OR-ing FETs, Motorantriebe und Lastschalter.

Typische Endprodukte sind Schweißgeräte und Elektrowerkzeuge, Server, Edge Devices, Supercomputer und Tablets, Rasenmäher und Reinigungsroboter sowie Funk-Basisstationen. Das Gerät ist zu 100 % RG- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei. Muster und Produktionsmengen des SiSD5300DN sind ab sofort verfügbar, die Vorlaufzeit beträgt 26 Wochen.