Worksport Ltd. gab seinen strategischen Schritt zur Integration von Galliumnitrid-Halbleitern (?GaN?) in seine kommenden Produktangebote bekannt. Mit der Entscheidung für GAN-Halbleiter anstelle der weit verbreiteten Chips auf Siliziumbasis, die selbst den Marktführer für KI-Chips, die NVIDIA Corporation (?NVIDIA?), antreiben, hat Worksport eine innovative Reise angetreten, um seine Technologie durch verschiedene Partnerschaften, darunter eine kürzlich angekündigte Partnerschaft mit Infineon Technologies AG, einem führenden Hersteller von GaN-Halbleitern, zu neuen Höhen zu führen. Silikon ist seit Jahrzehnten das dominierende Material für die Halbleiterherstellung, da es weithin verfügbar ist und sich leicht verarbeiten lässt.

NVIDIA hat seine Dominanz in der Branche auf siliziumbasierten Halbleitern in seinen GPUs aufgebaut. Der Beitrag, den NVIDIA zur Halbleiter- und Computerindustrie geleistet hat, ist unbestreitbar, aber die Welt nähert sich der theoretischen Grenze, wie viel mehr silikonbasierte Technologie verbessert werden kann. Worksport hat sich zum Ziel gesetzt, die Grenzen der Halbleiterinnovation zu erweitern, indem es GaN in zukünftige Versionen seiner COR Mobile Battery Generator Systems integriert. Der Grund für diesen Schritt ist das Potenzial von GaN, im Vergleich zu konventionellen Lösungen eine bessere Leistung, eine höhere Effizienz und eine geringere Größe und ein geringeres Gewicht zu bieten.

Im Vergleich zu Silizium weisen GaN-basierte Leistungsschalter geringere Gesamtkapazitäten auf, insbesondere wenn man bedenkt, dass sie keine antiparallele Body-Diode haben. GaN-Schalter ermöglichen daher schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste. GaN kann auch höheren Temperaturen standhalten als Silizium.

Worksport ist davon überzeugt, dass der Einsatz von GaN-Halbleitern die Messlatte für Effizienz, Wärmemanagement und Leistung höher legen wird. Darüber hinaus sind GaN-Halbleiter Bauelemente mit breiter Bandlücke, so dass sie viel höheren Spannungen standhalten können als siliziumbasierte Bauelemente und gleichzeitig kleinere Gehäuse benötigen. Diese Eigenschaft kann zu Leistungswandlern mit einer viel höheren Leistungsdichte führen, als dies bei siliziumbasierten Schaltern der Fall ist.

Worksport ist davon überzeugt, dass seine zukünftigen Produkte durch den Einsatz der GaN-Technologie eine unübertroffene Leistung bieten und gleichzeitig weniger Energie verbrauchen werden, was zu einer längeren Batterielebensdauer aufgrund der effizienteren Stromwandler führt. Aufgrund der verbesserten Effizienz von GaN-Halbleitern strahlen Leistungswandler auf GaN-Basis außerdem weniger Wärme ab und haben einen geringeren Kühlungsbedarf sowie einen geringeren Bedarf an Kühlungslüftern, so dass das Unternehmen glaubt, seine Leistungselektronik kompakter gestalten zu können.

Darüber hinaus glaubt Worksport, dass es durch die Verwendung von GAN-Halbleitern in der Lage sein wird, zuverlässigere und langlebigere Geräte zu entwickeln und gleichzeitig das Risiko von Überhitzung und Leistungsabfall zu verringern.