Transphorm, Inc. und Weltrend Semiconductor Inc. haben die Verfügbarkeit eines 100 Watt USB-C PD Power Adapter Reference Design bekannt gegeben. Das Board verwendet das von beiden Unternehmen entwickelte? SuperGaN® System-in-Package (SiP)?der WT7162RHUG24A?um einen Wirkungsgrad von 92,7% in einer Quasi-Resonant Flyback (QRF) Topologie zu erreichen.

Dies ist das zweite USB-C PD Adapter Board von Weltrend, das den WT7162RHUG24A in einer QRF-Topologie verwendet. Das erste ist ein 65-Watt-Board, das Anfang des Jahres auf den Markt kam. Die Tatsache, dass beide Boards das gleiche SuperGaN SiP verwenden, ist für Kunden von Vorteil, die Skaleneffekte und eine kostengünstigere Implementierung für 100-Watt-Designs im Vergleich zur Konkurrenz anstreben.

Es zeigt, dass das SuperGaN SiP der 65-Watt-Klasse auch die Leistungs- und Wärmeanforderungen von 100-Watt-Designs erfüllt. Das universelle 100-Watt-Netzteilboard von Weltrend entspricht den USB PD 3.0 + PPS-Standards. Sein Einsatz soll die Entwicklung verschiedener leistungsstarker, flacher Stromadapter zum Laden von Smartphones, Tablets, Laptops und anderen intelligenten Geräten beschleunigen.

Weitere wichtige Spezifikationen folgen: GaN-Bauelement - WT7162RHUG24A SuperGaN SiP. Topologie - Boundary Mode PFC + Flyback Quasi-Resonant Mode/Valley-Switching Multi-Mode Betrieb. Volllast-Wirkungsgrad - 91,2% bei 90 VAC/Volllast.

Gesamt-Spitzenwirkungsgrad - 92,7% @ 264VAC/Volllast. Leistungsdichte - 15,8 W/in (ohne Gehäuse). Ausgangsspannung Betrieb - USB-C PD 3.0, PPS 3,3 V - 21 V. Verlustleistung ohne Last - < 50 mW @ 264 VAC.

Ausgangsspannung und -strom - PPS: 3,3 V ? 21 V/5 A 5 V/3 A; 9 V/3 A; 12 V/3 A; 15 V/3 A; 20 V/5 A. EMI-konform - leitungsgebunden und gestrahlt. Abmessungen - 69mm x 63mm x 23,8mm.

Der WT7162RHUG24A ist ein echter integrierter Schaltkreis, der für den Einsatz in USB-C PD-Netzteilen mit 45 bis 100 Watt Leistung entwickelt wurde. Er integriert den Quasi-Resonanz-/Multimode-Flyback-PWM-Controller WT7162RHSG08 von Weltrend mit dem 240 Milliohm, 650-Volt SuperGaN® FET von Transphorm. Der oberflächenmontierbare Baustein ist in einem 24-poligen 8x8 QFN-Gehäuse erhältlich und bietet einen Spitzenwirkungsgrad von 92,7%.

Zu den wichtigsten Vorteilen gehören eine höhere Leistungsdichte mit besserem Wärmemanagement für langfristige Zuverlässigkeit und eine Reduzierung der BOM-Kosten.