Das Industrial Technology Research Institute (ITRI) hat sich mit der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) zusammengetan, um Pionierarbeit bei der Entwicklung eines Spin-Orbit-Torque Magnetic Random Access Memory (SOT-MRAM) Array Chips zu leisten. Dieser SOT-MRAM-Array-Chip ist ein Beispiel für eine innovative Speicherarchitektur und hat einen Stromverbrauch von nur einem Prozent eines STT-MRAM-Produkts (spin-transfer torque magnetic random-access memory). Ihre gemeinsamen Bemühungen haben zu einem Forschungspapier über diese mikroelektronische Komponente geführt, das gemeinsam auf dem IEEE International Electron Devices Meeting 2023 (IEDM 2023) vorgestellt wurde. Dies unterstreicht den innovativen Charakter ihrer Ergebnisse und ihre zentrale Rolle bei der Weiterentwicklung von Speichertechnologien der nächsten Generation.

Das Aufkommen von KI, 5G und AIoT hat einen erheblichen Bedarf an schneller Verarbeitung geschaffen, der neue Speicherlösungen erfordert, die sich durch erhöhte Geschwindigkeit, Stabilität und Energieeffizienz auszeichnen. Die erfolgreiche Zusammenarbeit zwischen ITRI und TSMC wirft nicht nur ein Licht auf den Weg zur Speichertechnologie der nächsten Generation, sondern stärkt auch Taiwans internationalen Wettbewerbsvorteil im Halbleitersektor.