Winbond Electronics Corporation kündigte den 8Mb 3V NOR W25Q80RV an, den ersten Baustein einer neuen Familie von hochleistungsfähigen seriellen Flash-Bausteinen mit kleinem Formfaktor und höherer Leseleistung, die den Anforderungen von vernetzten Edge-Geräten in Industrie- und Verbraucheranwendungen gerecht werden. Dieser serielle Flash-Speicher mit einer Dichte von 8 MB, der in Winbonds eigener 12-Zoll-Waferfertigung produziert wird, wird mit der neuen Generation der 58nm-Technologie hergestellt und ist deutlich kleiner als sein Vorgänger, der mit der 90nm-Technologie hergestellt wurde. Die KGD- (Known Good Die) und WLCSP-Versionen (Wafer Level Chip Scale Package) dieses neuesten Bausteins sind ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von IoT-Geräten mit kleinem Formfaktor.

Das Unternehmen unterstützt bereits seit mehreren Jahren die Anforderungen von Kunden, die den 8Mb Serial Flash mit der bestehenden Generation der W25QxxDV-Serie in Anwendungen wie Instrumentierung, Netzwerktechnik, PC, Drucker, Automotive und Gaming verwenden. Jetzt ist es an der Zeit, diese Anwendungen zu unterstützen und neue Anwendungsfälle wie drahtlose Konnektivität mit KGD- und WLCSP-Lösungen in fortschrittlicher Technologie und mit kleineren Lead-Frame-Gehäusen einzubeziehen. KGDs sind vollständig eingebrannt und getestet, so dass sie das gleiche Zuverlässigkeitsniveau wie verpackte Produkte aufweisen.

Sie sind ideal für die Kombination mit MCUs oder SoCs, die einen schnellen Flash-Zugriff benötigen. Durch die schnellere Lesegeschwindigkeit zur Verbesserung der Systemleistung, die schnellere Programmierung für eine effiziente Fertigung und die OTA (Over-the-Air)-Firmwareaktualisierung in Verbindung mit dem kleineren Formfaktor von SIP (System-in-Package) bietet dieser neue 8Mb-Flash einen größeren Wert für eine Vielzahl von Embedded-Systemen. Der W25Q80RV unterstützt alle gängigen Single/Dual/Quad/QPI-Befehle und Lesemodi und ist ideal für die Ausführung von Code (XIP) direkt aus dem Flash sowie für das Code-Shadowing im RAM. Der Baustein arbeitet mit einer einzigen Spannungsversorgung von 2,7V bis 3,6V und hat einen Stromverbrauch von nur 1µA. Der Flash ist in kleinen 4KB-Sektoren organisiert, die eine größere Flexibilität und Speichereffizienz bei Anwendungen ermöglichen, die Code, Daten und Parameter speichern müssen.

SPI-Taktfrequenzen von bis zu 133MHz Single Data Rate und 66MHz Double Data Rate werden unterstützt. Der Read Command Bypass Mode ermöglicht einen schnelleren Speicherzugriff mit nur 8 Takten Befehls-Overhead für das Lesen einer 24-Bit-Adresse, was einen echten XIP-Betrieb (execute in place) ermöglicht. Der W25Q80RV ist ab sofort verfügbar.

Andere Dichten der Familie werden folgen.