Die Mitsubishi Electric Corporation kündigte die bevorstehende Markteinführung von sechs neuen Leistungshalbleitermodulen der J3-Serie für verschiedene Elektrofahrzeuge (xEVs) an, die entweder mit einem Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (SiC-MOSFET) oder einem RC-IGBT (Si) ausgestattet sind und sich durch kompakte Bauweise und Skalierbarkeit für den Einsatz in den Wechselrichtern von Elektrofahrzeugen (EVs) und Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeugen (PHEVs) eignen. Alle sechs Produkte der J3-Serie werden ab dem 25. März für Musterlieferungen verfügbar sein. Die neuen Leistungsmodule werden auf der 38. Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON JAPAN 2024) vom 24. bis 26. Januar in Tokyo Big Sight, Japan, sowie auf weiteren Messen in Nordamerika, Europa, China und anderen Orten ausgestellt.

Da Leistungshalbleiter, die Strom effizient umwandeln können, als Reaktion auf die Dekarbonisierungsinitiativen expandieren und sich diversifizieren, steigt die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern, die eine deutlich geringere Verlustleistung bieten. Im xEV-Sektor werden Leistungshalbleitermodule häufig in Leistungsumwandlungsgeräten wie Wechselrichtern für xEV-Antriebsmotoren eingesetzt. Neben der Vergrößerung der Reichweite von Elektroautos werden kompakte, leistungsstarke und hocheffiziente Module benötigt, um die Größe von Batterien und Wechselrichtern weiter zu reduzieren.

Aufgrund der hohen Sicherheitsstandards, die für xEVs gelten, müssen die in Antriebsmotoren verwendeten Leistungshalbleiter jedoch zuverlässiger sein als die in allgemeinen industriellen Anwendungen verwendeten. Die Entwicklung dieser SiC-Produkte wurde teilweise von Japans New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) unterstützt.